檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "張勝良".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="準分子雷射退火"
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本研究開發出全濺鍍鍍膜製程之矽晶粒定位薄膜電晶體,其中以室溫反應性脈衝直流磁控濺鍍法實現了7 MV/cm崩潰電場之氧化矽膜,利用退火後其固定電荷達1.95×1011 cm-2,介面陷阱密度為6.4×…
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成功的利用濺鍍法,配合蔽蔭遮罩沉積薄膜暨圖案化的方式,製作多晶矽薄膜電晶體於玻璃基板上,所製作的TFT On/Off電流比為103,Mobility為10 cm2/V-S, Threshold vo…